2025年11月5日，截至收盤，滬指漲0.23%，報收3969.25點；深成指漲0.37%，報收13223.56點；創業板指漲1.03%，報收3166.23點。科創半導體ETF（588170）跌0.14%，半導體材料ETF（562590）跌0.92%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業平均指數漲0.48%；納斯達克綜合指數漲0.65%；標準普爾500種股票指數漲0.37%。費城半導體指數漲3.02%，恩智浦半導體漲2.94%，美光科技漲8.93%，ARM跌0.34%，應用材料漲4.61%，微芯科技漲2.18%。

行業資訊：

1. 消息面上，韓國半導體巨頭SK海力士與英偉達就明年HBM4供應達成協議，單價約560美元，較業內預期高10%以上。隨著AI基礎設施投資熱潮推高需求，其HBM業務明年有望增長40%-50%，以三星電子、SK海力士和美光科技、希捷科技為首的內存芯片制造商或迎來業績爆發式增長。

2. 今年前三季度，六成以上上市公司盈利同比增長，32家公司實現盈利至少翻倍增長，主要分布在分立器件、模擬芯片和數字芯片設計領域。其中，聞泰科技以近298億元營收位列前三季度營業收入規模**公司，北方華創成為實現歸母凈利潤**公司，達到51.3億元。

3. 根據半導體產業協會（SIA）數據，第三季度整體銷售額達2084億美元，較前一季度增長15.8%，9月環比更錄得7%的持續動能。協會指出，邏輯和存儲芯片表現尤為突出，需求增長主要集中在亞太地區與美洲市場。

國信證券指出，TrendForce預計4Q25一般型DRAM價格環增18%-23%，含HBM的整體DRAM價格環增23%-28%，預計漲幅較前次明顯上調；預計4Q25 NAND Flash平均價環增5%-10%，存儲進入持續漲價階段，疊加手機、服務器市場打開國產化空間，我們認為國產存儲廠商有望迎來量價齊升機遇期。

相關ETF：**息顯示， 科創半導體ETF（588170）及其聯接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中 半導體設備（61%）和半導體材料（23%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體材料ETF（562590）及其聯接基金（A類：020356、C類：020357），指數中半導體設備（61%）、半導體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。

溫馨提示：投資有風險，選擇需謹慎。

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