存儲大廠達成供應協議!這三類公司正在吃下AI紅利!
11月6日,存儲芯片再傳利好,$科創半導體ETF(588170)跳空高開
,繼續反彈走勢,盤中收復20日均線。
從消息面來看,11月全球半導體行業接連發生兩件大事:一是三星、SK海力士和美光這三大存儲芯片巨頭突然暫停DDR5內存芯片的報價,現貨價格一周內飆升25%;二是韓國半導體巨頭SK海力士與英偉達就明年HBM4供應達成協議,單價約560美元,較業內預期高10%以上。隨著AI基礎設施投資熱潮推高需求,其HBM業務明年有望增長40%-50%,以三星電子、SK海力士和美光科技、希捷科技為首的內存芯片制造商或迎來業績爆發式增長。
這兩件事看似無關,實則共同揭示了一個深層趨勢:AI正在**重塑半導體產業鏈的價值分配邏輯,而存儲、制造、封測三大環節正進入一輪“漲價—生產—國產替代”緊密聯動的新周期。
那么,AI是如何把存儲、制造和封測這三個環節串起來的?從目前市場輪動的邏輯來看,可以總結為:AI先拉動“算力”,再引爆“存力”,**傳導到“封力”。
資料來源:天風證券![]()
那么,AI帶來的這波需求到底有多大?能持續多久?
據TrendForce等機構數據,2025年全球AI服務器出貨量預計同比增長24.3%,而DDR5內存的出貨量(按數據量計算)增長約25%。不僅如此,AI PC、智能汽車、邊緣計算設備等終端也在快速普及,它們同樣需要高性能存儲和先進芯片。這意味著,需求不是短期泡沫,而是結構性增長。

至于存儲芯片價格能漲到什么時候?多數機構認為,至少持續到2026年。原因有三:一是AI硬件部署才剛開始,2025年以來,隨著用戶規模擴大和模型演進等帶來token消耗急速增加,數據存儲需求攀升。同時,供給端在過去兩年未建設新產能并嚴格控制稼動率,導致供給端難以跟上需求端的爆發式成長。
二是通常,在半導體制造領域,由于較難立即應對新技術產品需求的爆發式增長,因此容易出現庫存過少或過多的情況。存儲芯片的周期性更為明顯,尤其是DRAM廠商在景氣時期業績實現大幅提升;在景氣低迷時期面臨深刻的利潤赤字。此次,存儲廠商主動控產保價,不愿重蹈過去“產能過剩—價格崩盤”的覆轍。比如美光在2024年Q4明確表示“不再以市占率為優先目標”, 而是聚焦可持續盈利。
存儲芯片市場波動大于半導體整體市場波動
資料來源:野村**證券
三是目前渠道和終端庫存健康,沒有積壓風險。截至2025年Q3,全球DRAM渠道庫存周轉天數約為5.2周,低于近五年均值(6.5周);NAND庫存約6.8周,亦處于合理區間(數據來源:TrendForce)。終端客戶(如云服務商、服務器廠商)因擔心斷供,普遍采取“小批量、高頻次”采購策略,進一步強化了現貨市場的緊張情緒。尤其對于DDR5模組和HBM等高端產品,由于技術壁壘高、認證周期長(通常6–12個月),客戶難以快速切換供應商,議價權明顯向原廠傾斜,使得“量價齊升”成為常態。
在這樣的背景下,**半導體產業的機會在哪里?
**,成熟制程迎來戰略窗口。頭部大廠把資源向先進制程傾斜,成熟制程產能反而相對釋放。而汽車電子、工業控制、電源管理、物聯網等大量應用仍依賴成熟制程。本土代工廠正好在這一領域有深厚積累,有望承接全球轉移的訂單。
第二,半導體設備和材料國產化加速。只要生產,都需要大量刻蝕機、薄膜沉積設備、檢測儀器,以及硅片、光刻膠、特種氣體等材料。過去這些高度依賴進口,如今在政策支持和供應鏈安全驅動下,**設備廠商正從“能用”邁向“好用”,進入放量階段。
第三,封測環節成為本土突破口。先進封裝是AI芯片和HBM的“**一公里”,技術門檻高但**已有布局。一些**企業已具備2.5D/3D封裝能力,未來有望成為國產AI芯片和存儲芯片的核心合作伙伴。
總結來看,當前半導體行業正經歷一場由AI驅動的系統性重構。
對投資而言,關鍵不是追逐概念,而是聚焦那些“有真實訂單、有實際產能、有核心技術”的企業。這輪行情不是短期炒作,而是AI時代下,**半導體產業鏈從“跟跑”轉向“并跑”甚至“局部領跑”的歷史性機遇。當然,技術演進和**競爭充滿變數,具體企業能否兌現預期,還需持續跟蹤驗證。
對于普通投資者,同樣面臨一個選擇:是直接布局存儲芯片個股,還是通過ETF工具?存儲芯片個股的波動性通常非常大,業績受產品價格周期的影響極深,投資難度很高。而通過像芯片ETF或者科創半導體ETF這樣的工具,就可以一鍵布局整個半導體產業鏈的龍頭公司。
比如,芯片ETF(159995)它跟蹤國證芯片指數,覆蓋了從材料、設備、設計到制造封測的全產業鏈30家龍頭,其中就包含了存儲芯片和相關環節的公司。
而科創半導體ETF(588170)則更聚焦于科創板的半導體設備和材料龍頭,這些都是國產替代的核心環節。通過ETF投資,能夠更好地分散風險,更平穩地把握整個產業的發展趨勢。
溫馨提示:投資有風險,選擇需謹慎。
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